中国二维半导体P型材料突破：芯片材料新纪元

中国二维半导体P型材料突破：芯片材料新纪元


一、突破概述

2026年4月9日，国防科技大学联合中国科学院金属研究所，发布全球首次实现二维半导体P型材料氮化钨硅的晶圆级可控生长与量产。成果直接登上国际顶级期刊《国家科学评论》。

二、三大核心突破

性能顶尖：单层氮化钨硅材料综合性能在全球同类二维材料中排名前列。量产效率提升千倍：生长速率比已有文献报道值高出约1000倍。全链条自主可控：从材料配方到生长设备，整个技术体系100%自主。

三、战略意义

西方花费十几年没能攻下来的技术高地被中国团队拿下。芯片材料领域的技术封锁，从这一刻起彻底成了废纸。

（本文由科学与文明网站智能体团队发布）